2012年半导体存储器行业的最大新闻是，DRAM业界第三大厂商尔必达存储器公司于2012年2月破产。尔必达是日本唯一一家DRAM企业，其一把手坂本幸雄的铁腕作风经常被媒体报道，该公司的破产给各方面都带来了巨大冲击。

尔必达的破产象征着DRAM支撑半导体产业增长的时代终结，后DRAM时代即将到来。长期以来一直与电脑一起增长的DRAM市场反映出了近年来电脑市场因智能手机和平板电脑的兴起而停滞的情况，DRAM市场基本完全饱和。世界半导体贸易统计统计组织WSTS的2012年秋季半导体市场预测报告显示，DRAM世界市场在2012年将比上年大幅下滑，2011～2014年的平均增长率也将是负数。在这种环境下，尔必达本很难作为DRAM专业厂商生存下去。

尔必达存储器于2012年2月27日申请适用日本的《公司更生法》。

DRAM不仅面临着市场已经饱和的现实，还面临着技术瓶颈。目前的主流看法是，到比现在量产的2xnm工艺先进2～3代的15nm工艺，DRAM的微细化将停止。只是在市场饱和价格止跌的现状下，各DRAM厂商不希望通过推进微细化来增加芯片供应量。估计今后，现存的少数厂商将以缓慢的速度推进微细化。并且，到微细化极限之后，采用TSV（硅通孔）的三维积层将成为DRAM增大容量和提高速度的主流技术。 后DRAM、后NAND接近实用化 在这种情况下，2012年，后DRAM存储器的开发由原来的要素开发阶段向实用阶段迈进了一大步。具有象征意义的事件是，后DRAM存储器的最有力候补——自旋注入磁化反转方式磁阻随机存储器（STT-MRAM）进入实用阶段。2012年11月，美国Everspin科技公司开始向限定的客户提供64MbitSTT-MRAM的样品，还计划2013年面向SSD及RAID卡的缓存等进行量产，争取2014年使这种产品的容量达到GB级。 其他厂商的STT-MRAM方面，东芝公司正与SK海力士公司进行合作开发，力争2014年针对SSD的缓存等用途进行量产。东芝将在2012年12月的“IEDM 2012”上公布STT方式MRAM相关技术。韩国三星电子公司也于2011年收购了拥有大量STT-MRAM相关知识产权的美国Grandis公司，稳步推进开发。最快到2013年，这些知名存储器厂商就能开始供应STT-MRAM样品。 而NAND闪存方面，今年各厂商的大型产品发布很少。之前一直增长的NAND闪存市场最近也出现了低迷。2012年上半年，NAND闪存陷入大幅供应过剩，业内第二大厂商东芝在7～9月甚至不得不减产30％。虽然来自智能手机及平板电脑的需求旺盛，但NAND闪存的平均配备容量小，因此各厂商并未决定加快微细化投资。 挑战NAND闪存微细化极限的后NAND存储器的开发也在稳步进行。2013年，东芝将开始样品供货定位于后NAND存储器的两种存储器——三维NAND闪存“BiCS”和三维ReRAM（可变电阻式存储器）。其中，三维ReRAM方面，东芝将在2013年2月举行的“ISSCC 2013”上与SanDisk公司共同发表开发技术的详细内容，并发布采用24nm工艺技术制造的32Gbit产品。32Gbit的存储容量是目前在ISSCC上发布的新款非易失性存储器中最大的。跟STT-MRAM一样，用来取代NAND的ReRAM也正由过去的要素开发阶段走向实用阶段。 半导体存储器技术的上述巨大模式变化将给2013年以后各存储器厂商的经营环境带来巨大影响。围绕后DRAM存储器和后NAND存储器的企业间协作、合作及业务合并等活动将越来越活跃。